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Universität Basel

05. September 2019

Silizium als Halbleiter: Siliziumkarbid wäre viel effizienter

Eine Simulation der Oxidation von Siliziumkarbid veranschaulicht die Bildung der Defekte: An der Grenzfläche zwischen Siliziumkarbid und dem Isolationsmaterial Siliziumdioxid (schwarz-gelbe Strukturen) entstehen unregelmässige Ansammlungen von Kohlenstoffringen (schwarze Strukturen im mittleren Bildteil), welche im Kristallgitter gebunden sind und den Stromfluss stören.
Eine Simulation der Oxidation von Siliziumkarbid veranschaulicht die Bildung der Defekte: An der Grenzfläche zwischen Siliziumkarbid und dem Isolationsmaterial Siliziumdioxid (schwarz-gelbe Strukturen) entstehen unregelmässige Ansammlungen von Kohlenstoffringen (schwarze Strukturen im mittleren Bildteil), welche im Kristallgitter gebunden sind und den Stromfluss stören. (Bild: Universität Basel)

In der Hochleistungselektronik basieren die Halbleiter auf dem Element Silizium – dabei wäre die Energieeffizienz von Siliziumkarbid deutlich höher. Was den Einsatz dieser Verbindung aus Silizium und Kohlenstoff noch behindert, zeigen Physiker der Universität Basel, des Paul-Scherrer-Instituts und der ABB in der Fachzeitschrift «Applied Physics Letters».

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